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PVD設備
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磁控濺射鍍膜
磁控濺射鍍膜

      濺射系統可以采用各種腔室和離子源配置來構建,以有效地將金屬和介電薄膜沉積到最大200mm的基板上。該系統可以配備直流,射頻和脈沖直流電源,以實現順序濺射或共濺射。系統用渦輪分子泵組件泵送,以達到5x10 -7托的基本壓力。磁控管到基板的距離是可調的,以實現所需的均勻性和沉積速率。具有離軸磁控管的旋轉壓板提供了實現最佳薄膜均勻性的方法。提供晶體厚度監控器以自動終止過程。在旋轉和射頻偏置的情況下,可以將基板支架加熱至800°C。

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