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PE-ALD(等離子體增強原子層沉積)

此工藝可取消ALD原子層淀積中的一個步驟,從而進一步縮短生產周期。

PE-ALD過程中,在淀積溫度下互不發生反應的互補反應源在同一時間被引入到石英腔內(引入方式、時間和流量大小可參考上述ALD工藝),然后反應源關閉并凈化反應室(通入氬氣吹洗),接著施加一個直接的等離子脈沖,這個等離子體環境產生高活性自由基并與吸附于襯底的反應物反應形成原子層。關閉等離子可迅速清除活性自由基源,反應室中一直流過的清潔氣體將清除過剩自由基和反應副產物。循環周期和引入反應源的相關參數均可以預先設置在系統中,實現自動運行。

 

PE-ALD Precursor 通入石英腔內的脈沖序列如下圖所示:除了較高的生長速度和較短的周期時間,PE-ALD薄膜表現出比傳統的原子層淀積薄膜更高的密度和更高的擊穿電壓。該技術已經在多個應用中取得了發展,如DRAM、MIM和eDRAM電介質薄膜。

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